Laboratorij za femtofiziku površina

Rast 2D materijala, npr. grafena i monoslojeva s tranzicijskim metalnim dihalkogenidima (TMD), nedavno se koristi za proizvodnju novih elektronskih, fotonskih i “valleytronskih” uređaja. To uključuje GHz tranzistore s efektom polja visoke mobilnosti i s velikim on/off omjerima ili fototransistore brzog odgovora, koji se mogu koristiti kao infracrveni detektori ili iznimno osjetljivi kemijski senzori.

TMD monoslojevi također imaju značajan potencijal za izradu ultrafleksibilnih fotonaponskih (PV) ćelija s 1-3 reda veličine većom gustoćom snage od najboljih postojećih tankoslojnih solarnih ćelija. U takvim materijalima, optoelektronički i fotonaponski odgovor reguliran je dinamikom ekscitona i stvaranja slobodnih naboja induciranih svjetlom. Stoga je poznavanje ekscitacitonskog odgovora na optičke podražaje ključno za optoelektroničku i fotonaponsku primjenu.

S vremenski razlučivim ARPES-om (tr-ARPES) istražit ćemo takve dinamike i karakteristične procese relaksacije na ultrakratkim vremenskim skalama i s rezolucijom u energiji i valnim vektorom. U tu će se svrhu izgraditi tr-ARPES na temelju XUV izvora.